창신 메모리 테크놀로지스
长鑫存储技术有限公司
형태 비공개 회사
창립 2016년 5월(10년 전)(2016-05)
이전 상호 이노트론 메모리
허페이 창신
산업 분야 반도체
본사 소재지 중국 안후이성 허페이
제품 동적 램
웹사이트 www.cxmt.com

창신 메모리 테크놀로지스(영어: Changxin Memory Technologies, 중국어: 长鑫存储, CXMT)는 중국 안후이성 허페이의 반도체 통합 장비 제조업체로 DRAM 메모리 생산에 특화되어 있다.[1] 주요 고객은 레노버, 화웨이, 알리바바 등 중국 기업이다.[2]

허페이 본사 생산 능력의 2~3배에 달하는 대규모 공장을 상하이에 구축 중으로 2026년 하반기 장비 설치를 시작해 2027년부터 서버, PC, 자동차용 DRAM을 본격 양산할 계획이다.[3]

논란

전직 삼성전자 부장과 핵심개발인력 4명이 CXMT로 이직하면서 국가 핵심 기술인 ‘18나노 D램 반도체 공정 정보’ 등을 빼돌린 혐의로 2024년 구속 기소된 적이 있다.[4][5]

각주

  1. ↑ 강봉주 (2026년 2월 3일). “전략공감 2.0 (신흥국)” (PDF). 《메리츠증권》. 2026년 2월 6일에 확인함. 
  2. ↑ 고든 정 (2026년 2월 3일). “AI 메모리 대란으로 폭풍 성장…중국 CXMT는 메모리 4강 안착할까? [고든 정의 TECH+]”. 《나우뉴스》. 2026년 2월 6일에 확인함. 
  3. ↑ 신민철 (2026년 2월 4일). “中 메모리 칩 공세… CXMT·YMTC, 공급난 틈타 삼성·SK하이닉스 맹추격”. 《글로벌이코노믹》. 2026년 2월 6일에 확인함. 
  4. ↑ 송혜미 (2026년 2월 23일). “‘반도체 기술 中유출’ 前삼성전자 부장 파기환송…대법, “누설도 처벌””. 《동아일보》. 2026년 2월 24일에 확인함. 
  5. ↑ 이준 (2025년 12월 23일). “전직 삼성 임직원 등 10명, 10나노급 D램 공정 유출 혐의 기소”. 《디일렉》. 2026년 2월 24일에 확인함. 

같이 보기

  • 반도체 산업
  • 중화인민공화국의 반도체 산업
  • 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)

외부 링크